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J-GLOBAL ID：200903055757779441

化合物半導体を用いた青色発光素子の製造方法

Inventor：
新田 康一

About 新田 康一

, 
石松 純男

About 石松 純男


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996230688
Publication number (International publication number)：1997129930
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】 操作が容易で適用範囲の広い窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 三塩化ホウ素(BCl3 )と塩素(Cl2 )を含むエッチングガスを使用した平行平板型プラズマエッチングによりp-Inx Aly Ga1-x-yNおよびn-Inx Aly Ga1-x-y N層を選択的にエッチングし、青色発光ダイオードを製造する方法である。
Claim (excerpt)：
第1の導電型の窒化ガリウム系半導体から成る第1のクラッド層と、実質的に真性(intrinsic )な窒化ガリウム系半導体から成る活性層と、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の窒化ガリウム系半導体から成る第2のクラッド層からなる積層体を形成する工程と、三塩化ホウ素と塩素を含むエッチングガスによって前記第2のクラッド層および前記活性層をエッチングする工程とからなる化合物半導体を用いた青色発光素子の製造方法。
IPC (5)：
H01L 33/00 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01S 3/18
FI (6)：
H01L 33/00 C ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/302 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-034929
  • 半導体発光素子の製法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-057688   Applicant：ローム株式会社
  • 特開昭63-136526
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