半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997044027
Publication number (International publication number)：1998242335
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板と配線層の機能を振り分け、小型・軽量化し、接続の信頼性,基板の生産性,組立て効率を向上させた半導体装置としての多機能モジュールを提供すること。【解決手段】標準化したビア導体2やランド3を備え、内部には配線層を形成しないセラミック基板1と、基板1の両面に樹脂絶縁層5A,5Bや導体層6を積層した有機配線層4A,4Bと、導体層6に部品接続電極7を介して接続される半導体素子8と、外部電極10とを有し、半導体素子8は配線層4A,4Bの導体層6およびセラミック基板1のビア導体2を介して外部に接続される。基板1は表裏の接続だけであるため、配線層4A,4Bの寸法安定性を増大させ、また配線層4A,4Bはパターンの引き廻しが容易な積層構造とし、部品接続時の応力を吸収させる。

Claim (excerpt)：

表裏面を結合するための規則的に配列されたビア導体を備えるとともに、内部には配線層が形成されない絶縁性基板と、前記絶縁性基板の両面にそれぞれ樹脂絶縁層および導体層を積層して形成された第1および第2の有機配線層と、前記第1の有機配線層の前記導体層に接続される半導体素子などの電子部品とを有し、前記電子部品は前記第1および第2の有機配線層の前記導体層および前記絶縁性基板の前記ビア導体を介して外部に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/13 , H01L 23/522 , H05K 3/46

FI (3)：

H01L 23/12 C , H05K 3/46 Q , H01L 23/52 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-310643 Applicant：三菱電機株式会社
多層配線基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-246066 Applicant：京セラ株式会社

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