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J-GLOBAL ID:200903056620205002
電子放出素子および電子放出素子の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
福村 直樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993208044
Publication number (International publication number):1995065700
Application date: Aug. 23, 1993
Publication date: Mar. 10, 1995
Summary:
【要約】【構成】 請求項1に記載の発明は、基板上に選択的に設けた種結晶の表面に、気相法によりダイヤモンドをエピタキシャル成長させてなるダイヤモンド粒子を有することを特徴とする電子放出素子である。【効果】 前記構成を有する請求項1に記載の電子放出素子は、(111)面を有するダイヤモンドの結晶構造を有効に利用しているので、高い電子放出特性および安定性を有し、長期間その性能が劣化することがなく、冷陰極、フラットCRT、電子銃、高周波素子等の電気・電子分野をはじめとする広い分野で好適に用いることができる。
Claim (excerpt):
基板上に選択的に設けた種結晶の表面に、気相法によりダイヤモンドをエピタキシャル成長させてなるダイヤモンド粒子を有することを特徴とする電子放出素子。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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冷陰極エミツタ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-117521
Applicant:株式会社神戸製鋼所
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特開平4-357195
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