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J-GLOBAL ID：200903056663259165

長波長VCSEL

Inventor： ジャマル・ラムダニ ,  マイケル・エス・レビー ,  ウェンビン・ジアン
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998126809
Publication number (International publication number)：1998303515
Application date： Apr. 21, 1998
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 信頼性の高い長波長VCSELを提供する。【解決手段】 長波長光を放出するVCSELは、GaAs(111)基板素子(12),GaAs/AlGaAs物質系のミラー対から成り、GaInAsN活性領域(20)と格子を一致させた第1ミラー・スタック(14),第1ミラー・スタック(14)に隣接する第1クラッディング領域(24)および第2クラッディング領域(25)間に挟持された活性構造(23)を有し、活性構造(23)が、窒化物を基本とする量子井戸(35,36,37)を含むGaInAsN活性領域(20),ならびに第2クラッディング領域(25)に格子を一致させ、GaAs/AlGaAs物質系のミラー対を有する第2ミラー・スタック(26)を含む。

Claim (excerpt)：

長波長光を放出する垂直空洞面放出レーザであって:GaAs(111)基板(12);前記GaAs(111)基板(12)上に配置された第1ミラー・スタック(14);窒化物を基本とする量子井戸(35,36,37)を含むGaInAsN活性領域(20)であって、前記第1ミラー・スタック(14)上に配置された活性領域(20);および前記活性領域(20)上に配置された第2ミラー・スタック(26);から成ることを特徴とする垂直空洞面放出レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-258086   Applicant：ゼロックスコーポレイション
• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-240290   Applicant：オリンパス光学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Design and Expected Characteristics of 1.3um GaInNAs/GaAs Vertical Cavity Surface Emitting Lasers"