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J-GLOBAL ID：200903056665642519

ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス

Inventor：
ベング エス オング

About ベング エス オング

, 
ピング リュー

About ピング リュー

, 
イリアン ウー

About イリアン ウー

, 
ユー キ

About ユー キ


Applicant, Patent owner：
ゼロックス・コーポレーション

About ゼロックス・コーポレーション


Agent (1)： 吉田 研二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003003066
Publication number (International publication number)：2003292588
Application date： Jan. 09, 2003
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：
【要約】【課題】 環境酸素によるドーピングを起こしにくく、溶液処理によって経済的に加工可能な半導体ポリマーを用いたデバイスを提供する。【解決手段】 下記化学式の、2つの2,5-チエニレンセグメント(I)及び(II)と、必要に応じて二価結合基Dとを含む、1つ又は複数のモノマーセグメントから誘導されたポリチオフェンを含むエレクトロニックデバイスである。【化1】式中、Aは側鎖であり、Bは水素又は側鎖であり、Dは二価結合基であり、モノマーセグメント中のA置換チエニレン単位(I)の数は約1〜約10であり、B置換チエニレン単位(II)の数は0〜約5であり、二価結合基Dの数は0又は1である。
Claim (excerpt)：
ポリチオフェンを含むエレクトロニックデバイスであって、前記ポリチオフェンは、下記化学式の、2つの2,5-チエニレンセグメント(I)及び(II)と、必要に応じて二価結合基Dとを含む、1つ又は複数のモノマーセグメントから誘導され、【化1】式中、Aは側鎖であり、Bは水素又は側鎖であり、Dは二価結合基であり、モノマーセグメント中のA置換チエニレン単位(I)の数は約1〜約10であり、B置換チエニレン単位(II)の数は0〜約5であり、二価結合基Dの数は0又は1であることを特徴とするエレクトロニックデバイス。
IPC (3)：
C08G 61/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (3)：
C08G 61/12 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28
F-Term (35)：
4J032BA03 ,  4J032BB03 ,  4J032BB04 ,  4J032BB06 ,  4J032BB09 ,  4J032BC03 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110NN01 ,  5F110NN27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 米国特許第6,150,191号明細書
  • 米国特許第6,107,117号明細書
  • 米国特許第5,969,376号明細書
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Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • The Journal of Physical Chemistry, 19950309, 第99巻第10号, 3218-3224頁
  • Synthetic Metals, 1995, 第71巻, 2085-2086頁

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