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J-GLOBAL ID:200903000037370571

ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 研二 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003003065
Publication number (International publication number):2003261655
Application date: Jan. 09, 2003
Publication date: Sep. 19, 2003
Summary:
【要約】【課題】 環境酸素によるドーピングを起こしにくく、溶液処理によって経済的に加工可能な半導体ポリマーを用いたデバイスを提供する。【解決手段】 下記式のポリチオフェンを含むエレクトロニックデバイスである。【化1】式中、Rは側鎖を示し、mは置換基Rの数を示し、Aは二価結合基であり、x、y、及びzはそれぞれモノマーセグメント中における、Rm置換チエニレン、非置換チエニレン、及び二価結合基Aの数を示し、zは0又は1であり、nはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数又は重合度を示す。
Claim (excerpt):
ポリチオフェンを含むエレクトロニックデバイスであって、前記ポリチオフェンは下記の構造式を持ち、【化1】式中、Rは側鎖を示し、mは置換基Rの数を示し、Aは二価結合基であり、x、y、及びzはそれぞれモノマーセグメント中における、Rm置換チエニレン、非置換チエニレン、及び二価結合基Aの数を示し、zは0又は1であり、nはポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数又は重合度を示すことを特徴とするエレクトロニックデバイス。
IPC (3):
C08G 61/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (5):
C08G 61/12 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/28
F-Term (38):
4J032BA04 ,  4J032BB01 ,  4J032BC03 ,  4J032BD07 ,  4J032CG01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
  • 米国特許第6,150,191号明細書
  • 米国特許第6,107,117号明細書
  • 米国特許第5,969,376号明細書
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • The Journal of Physical Chemistry, 19950309, 第99巻第10号, 3218-3224頁
  • Synthetic Metals, 1995, 第71巻, 2085-2086頁

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