有機半導体電界効果トランジスタの評価装置及び特性測定方法。

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：家入健
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005256713
Publication number (International publication number)：2007073619
Application date： Sep. 05, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】有機半導体電界効果トランジスタのチャネルの生成やチャネルコンダクタンスの変化を非接触にてモニターすることが可能な、有機半導体電界効果トランジスタを評価する有効的な新しい評価方法を提供する。【解決手段】有機半導体電界効果トランジスタのゲートと、ソース-ドレイン間とに、電圧を印加し、電圧が印加された状態の有機半導体電界効果トランジスタにおいて、ソースとドレインの間に位置する有機物層の内にあって、チャネル層が形成される可能性を有するチャネル形成領域に光を入射し、光を入射されたチャネル形成領域から出射される高次高調波光を検出し、検出された高次高調波光の強度によって前記チャネル形成領域におけるコンダクタンス及び/又は電界分布を測定する、有機半導体電界効果トランジスタの特性測定方法。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

有機半導体電界効果トランジスタのゲートと、ソース-ドレイン間とに、電圧を印加し、前記電圧が印加された状態の有機半導体電界効果トランジスタにおいて、前記ソースと前記ドレインの間に位置する有機物層の内にあって、チャネル層が形成される可能性を有するチャネル形成領域に光を入射し、前記光を入射されたチャネル形成領域から出射される高次高調波光を検出し、前記検出された高次高調波光の強度によって前記チャネル形成領域におけるコンダクタンス及び/又は電界分布を測定する、有機半導体電界効果トランジスタの特性測定方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , G01R 31/26 , G01R 31/302

FI (5)：

H01L29/78 624 , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , G01R31/26 B , G01R31/28 L

F-Term (10)：

2G003AA02 , 2G003AB01 , 2G003AH00 , 2G132AA00 , 2G132AF14 , 2G132AL12 , 5F110AA24 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110GG05

Patent cited by the Patent：

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電位測定方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-102050 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-307378

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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