半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001131941
Publication number (International publication number)：2002329780
Application date： Apr. 27, 2001
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】銅を主導電層とする配線間の絶縁破壊耐性を向上させる。【解決手段】銅を主成分とする埋込み配線の上部において電界が集中する箇所が、その周囲の絶縁膜の研磨面から離間するような埋込み配線構造とした。

Claim (excerpt)：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;(a)半導体基板の主面上に第1の絶縁膜を堆積する工程、(b)前記第1の絶縁膜に配線開口部を形成する工程、(c)前記配線開口部に、前記第1の絶縁膜の上面に対して段差が生じるような上面の高さを持ち、銅を主成分として含む配線を形成する工程、(d)前記第1の絶縁膜および前記配線上に第2の絶縁膜を堆積する工程。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2)：

H01L 21/90 B , H01L 27/08 321 F

F-Term (80)：

5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK03 , 5F033KK19 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM07 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM17 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP21 , 5F033PP22 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ78 , 5F033QQ91 , 5F033QQ93 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033VV15 , 5F033VV16 , 5F033XX00 , 5F033XX31 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048DA25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-133533 Applicant：ソニー株式会社
炭素含有層の付着強化と酸化最小限化のためのプラズマ処理
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-183477 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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