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J-GLOBAL ID：200903056745912088

プラズマ処理装置および方法

Inventor：
石井 信雄

About 石井 信雄

, 
篠原 己拔

About 篠原 己拔


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社

, 
日本高周波株式会社

About 日本高周波株式会社


Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003030914
Publication number (International publication number)：2004265919
Application date： Feb. 07, 2003
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：
【課題】アンテナ面の温度変化によるアンテナ特性の変化を抑制する。【解決手段】プラズマPが生成される処理容器1と、処理容器1内に高周波電磁界を供給するRLSA13と、RLSA13に高周波電源11を接続する導波管12とを備えたプラズマ処理装置において、導波管12に接続された冷媒供給路31と、RLSA13のアンテナ面24に対向する導体板22に接続された冷媒排出路34とを設ける。そして、冷媒供給路31から導波管12内に冷媒を供給し、導波管12内を通ってRLSA13のラジアル導波路21内を回流した後の冷媒を冷媒排出路34から排出する。冷媒がラジアル導波路21内を回流する間に、ラジアル導波路21の下面となるアンテナ面24から熱を奪うことにより、アンテナ面24が冷却される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
処理容器に収容されるとともに被処理体を載置する載置台と、この載置台に対向して配置される導体板に形成されたアンテナ素子と、このアンテナ素子を介して前記処理容器に供給される高周波電磁界を導く導波路を前記導体板とともに構成する導体からなる導波部材とを備えたプラズマ処理装置において、 前記導体板を冷却する冷却手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46
FI (4)：
H01L21/205 ,  C23F4/00 A ,  H05H1/46 B ,  H01L21/302 101D
F-Term (32)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA14 ,  4G075CA25 ,  4G075CA43 ,  4G075CA47 ,  4G075CA52 ,  4G075DA02 ,  4G075EA05 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075FB04 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BC08 ,  5F004CA09 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-267442   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-165874   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • 特開昭64-071097
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