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J-GLOBAL ID：200903098960521116

プラズマ処理装置

Inventor：
本郷 俊明

About 本郷 俊明

, 
大沢 哲

About 大沢 哲


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000267442
Publication number (International publication number)：2002075881
Application date： Sep. 04, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 遅波材として比誘電率の大きい材料を用いて波長短縮効果を増大させることによりマイクロ波放射孔の形成ピッチや形状を小さくでき、もってプラズマ密度の面内均一性を高めることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 天井部に気密に装着された絶縁板72が設けられて内部が真空引き可能になされた処理容器32と、被処理体Wを載置するために前記処理容器内に設けられた載置台34と、前記絶縁板の上方に設けられて所定のピッチで形成された複数のマイクロ波放射孔90からプラズマ発生用のマイクロ波を前記絶縁板を介して前記処理容器内へ導入する平面アンテナ部材76と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス供給手段48、50とを有するプラズマ処理装置において、前記平面アンテナ部材の上部に、比誘電率が12以上の高誘電率特性を有する遅波材78を配置するように構成する。これにより、遅波材として比誘電率の大きい材料を用いて波長短縮効果を増大させることによりマイクロ波放射孔の形成ピッチや形状を小さくでき、もってプラズマ密度の面内均一性を高める。
Claim (excerpt)：
天井部に気密に装着された絶縁板が設けられて内部が真空引き可能になされた処理容器と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記絶縁板の上方に設けられて所定のピッチで形成された複数のマイクロ波放射孔からプラズマ発生用のマイクロ波を前記絶縁板を介して前記処理容器内へ導入する平面アンテナ部材と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、前記平面アンテナ部材の上部に、比誘電率が12以上の高誘電率特性を有する遅波材を配置するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (6)：
H01L 21/205 ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B
F-Term (66)：
4G075AA03 ,  4G075AA22 ,  4G075AA24 ,  4G075AA42 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075CA57 ,  4G075CA63 ,  4G075CA65 ,  4G075EA07 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC01 ,  4G075EC13 ,  4G075EC30 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  4G075FB12 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030KA20 ,  4K030KA26 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DK03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM09 ,  4K057DM29 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB32 ,  5F045AA09 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EC01 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-165874   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-153357   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩

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