化学増幅型レジストパターンの形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青木朗 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992006652
Publication number (International publication number)：1993188595
Application date： Jan. 17, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いて、パターンに髭状の残渣を発生させることなく、解像性及びパターン形状に優れたレジストパターンを形成せしめるパターン形成方法を開発する。【構成】水素添加フェノール樹脂、ヘキサメトキシメチルメラミン含有率を高めたメラミン樹脂、電離放射線の照射により酸を発生する酸発生剤及び溶剤を主成分として含有してなるレジスト組成物を被処理基板状に塗布する工程、露光工程、加熱処理工程及び現像工程を順次含んでなる化学増幅型レジストパターンの形成方法の現像工程において、0.1 〜0.25Nの塩基性水溶液を使用する。

Claim (excerpt)：

水素添加フェノール樹脂、ヘキサメトキシメチルメラミン含有率を高めたメラミン樹脂、電離放射線の照射により酸を発生する酸発生剤及び溶剤を主成分として含有してなるレジスト組成物を被処理基板状に塗布する工程、露光工程、加熱処理工程及び現像工程を順次含んでなる化学増幅型レジストパターンの形成方法の現像工程において、0.1 〜0.25Nの塩基性水溶液を使用することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/038 505 , G03F 7/004 503 , G03F 7/028 , G03F 7/32 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 R , H01L 21/30 361 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-107162
特開平3-110310
特開平3-075652

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