低欠陥窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体基板

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001389957
Publication number (International publication number)：2002270528
Application date： Dec. 21, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板の反り及びうねりを抑制することにより結晶性が良好である窒化物半導体基板を容易に製造できるようにする。【解決手段】異種基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、保護膜上に横方向成長させる窒化物半導体層を保護膜上で接合させずに途中で窒化物半導体層の成長を止める。その後、保護膜を除去し、保護膜下の異種基板又は窒化物半導体を露出させる。その後、窒化物半導体層を再成長させることで窒化物半導体基板とする。横方向成長を利用しており、低欠陥の窒化物半導体基板を提供することができる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と異なる材料から成る異種基板上に窒化物半導体を成長させる方法において、異種基板上に、第1の窒化物半導体層を成長させ、その後、前記第1の窒化物半導体層上に窓部を有する保護膜を形成し、窓部より第2の窒化物半導体層を横方向に成長させ、且つ隣接する第2の窒化物半導体層同士が接合し合わない状態で成長を止め、その後、前記保護膜を除去することにより第1の窒化物半導体層に露出部を形成し、更に横方向成長した第2の窒化物半導体層下に空洞を有し、前記第1の窒化物半導体層の露出部、及び第2の窒化物半導体層上に第3の窒化物半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

F-Term (41)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TC12 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4K030AA11 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA03 , 4K030LA11 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA61 , 5F045DA67 , 5F045DB02 , 5F045DB04 , 5F073CA02 , 5F073CB02 , 5F073DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

窒化物半導体基板及びその製造方法、並びにその窒化物半導体基板を用いた窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-185037 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-335591 Applicant：三菱電線工業株式会社

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