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J-GLOBAL ID:200903056865865318
ネガ型レジスト組成物
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
阿形 明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999037847
Publication number (International publication number):2000206694
Application date: Feb. 16, 1999
Publication date: Jul. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 ArFエキシマレーザー光に対して透明性が高く、高解像性を有するとともに、膨潤がなく、かつ断面形状が垂直なレジストパターンを与える化学増幅型のネガ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)放射線の照射により酸を発生する化合物と、(B)酸により脱水してエステルを形成することによりアルカリ不溶性となる樹脂とを含有してなるネガ型レジスト組成物とする。
Claim (excerpt):
(A)放射線の照射により酸を発生する化合物と、(B)酸によりアルカリ不溶性になる樹脂とを含有するアルカリ現像可能なネガ型レジスト組成物において、(B)成分として、分子内に、たがいに反応してエステルを形成しうる2種の官能基を有し、これが酸により脱水してエステルを形成することによりアルカリ不溶性となる樹脂を用いたことを特徴とするネガ型レジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/038 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/033
, H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/038 601
, G03F 7/004 501
, G03F 7/033
, H01L 21/30 502 R
F-Term (17):
2H025AA00
, 2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025CB13
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025CB52
, 2H025CC17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-222007
Applicant:富士通株式会社
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パタン形成方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-150928
Applicant:株式会社日立製作所
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