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J-GLOBAL ID：200903056944199048

電子エミッターとその製造法および電子線装置

Inventor： 後藤 純孝 ,  日高 貴志夫 ,  廣田 昇一 ,  檜山 郁夫 ,  岡井 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000211969
Publication number (International publication number)：2002025425
Application date： Jul. 07, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】蛍光表示管,ディスプレイ,x線管などの、電子エミッター材料およびこれらの電子線応用装置を提供する。【解決手段】カーボンナノチューブや炭素膜の黒鉛結晶子の格子炭素に水素を付与し、>CH-結合グループを形成することにより、低い印加電圧で高密度の電子放出を行なえるようにする。また電子エミッター層と下部電極を電気的に結ぶ柱状部分を炭素と金属の複合構造とし、イオン衝撃による導電性の低下を抑制する。

Claim (excerpt)：

3個の近接炭素原子に結合した炭素原子と、前記炭素原子に対し1個の水素原子が結合した>CH-結合グループを有することを特徴とするカーボンナノチューブ。

IPC (7)：

H01J 1/304 ,  B82B 1/00 ,  H01J 7/02 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 29/94 ,  H01J 31/12

FI (7)：

B82B 1/00 ,  H01J 7/02 ,  H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 29/94 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F

F-Term (8)：

5C031DD17 ,  5C032JJ17 ,  5C036EE01 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF08 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 接着性カ-ボンナノチュ-ブ膜を有するデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-266103   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 官能基化されたナノチューブ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-517817   Applicant：ハイピリオンカタリシスインターナショナルインコーポレイテッド
• ナノチューブの加工方法及び電界放出型冷陰極の製造方法並びに表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-368424   Applicant：日本電気株式会社