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J-GLOBAL ID：200903059123895738

ナノチューブの加工方法及び電界放出型冷陰極の製造方法並びに表示装置の製造方法

Inventor： 岡本 明彦 ,  伊藤 文則
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999368424
Publication number (International publication number)：2001180920
Application date： Dec. 24, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ナノチューブを劣化させることなく短く切断することが可能で、このナノチューブをエミッタとしたときに、エミッタ表面の平坦性が向上するナノチューブの加工方法、エミッタ表面の平坦性が向上し、その結果、均一で安定な高放出電流を発生させることが可能な電界放出型冷陰極の製造方法、ナノチューブの加工方法及び/または電界放出型冷陰極の製造方法を含む表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のナノチューブの加工方法は、ナノチューブ1にイオン2を照射する工程と、前記ナノチューブ1を酸化する工程とを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ナノチューブにイオンを照射する工程と、前記ナノチューブを酸化する工程とを含むことを特徴とするナノチューブの加工方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 101 ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/48 ,  H01J 9/02

FI (4)：

C01B 31/02 101 F ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/48 B ,  H01J 9/02 B

F-Term (11)：

4G046CA00 ,  4G046CB09 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03 ,  4G046CC06 ,  4K029AA04 ,  4K029AA22 ,  4K029BD00 ,  4K029CA10 ,  4K029EA00 ,  4K029EA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• イオン照射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-204277   Applicant：日新電機株式会社
• 平面ディスプレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-330436   Applicant：伊勢電子工業株式会社