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J-GLOBAL ID：200903056945689340

レジストパターンの形成方法

Inventor： 渡邊 健夫 ,  森 重恭 ,  福島 隆史
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995292870
Publication number (International publication number)：1997134858
Application date： Nov. 10, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板に十分な酸がトラップされることになり、所望のレジストパターンを形成する際に、レジスト中に発生した酸が半導体基板中へ拡散することが防止され、断面形状が垂直な、高コントラストを有するレジストパターンを形成することができる。【解決手段】 (i) 半導体基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布し、該レジスト全面を露光した後、該レジストをほぼ完全に剥離し、(ii)再度、前記半導体基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布した後、該レジストに選択的に露光を行い、(iii) 露光後ベーク及び前記レジストの現像を行うレジストパターンの形成方法。

Claim (excerpt)：

(i) 半導体基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布し、該レジスト全面を露光した後、該レジストをほぼ完全に剥離し、(ii)再度、前記半導体基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布した後、該レジストに選択的に露光を行い、(iii) 露光後ベーク及び前記レジストの現像を行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-110503   Applicant：沖電気工業株式会社