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J-GLOBAL ID：200903056947331877

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor：
仁道 正明

About 仁道 正明


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995171575
Publication number (International publication number)：1997008412
Application date： Jun. 15, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザのしきい値を低減する。発光ダイオードの発光効率を向上させる。【構成】 (0001)方位サファイア基板1上に、In0.06Ga0.94Nバッファ層2、n型In0.06Ga0.94Nクラッド層3、n型In0.06Al0.15Ga0.79Nクラッド層4、層厚50nmのアンドープGaN活性層5、p型In0.06Al0.15Ga0.79Nクラッド層6、p型In0.06Ga0.94Nキャップ層7を順次成長させ、p型In0.06Ga0.94Nキャップ層7上にp側電極8、n型In0.06Ga0.94Nクラッド層3上にn側電極9を形成する。上記の構成において、活性層5の膜厚を十分厚くするとともにこれに引っ張り歪が加わるようにする。また、基板面に垂直方向に偏光された光を基板面に水平方向に放射させる。
Claim (excerpt)：
基板面に垂直な方向が〈0001〉方位となるウルツ鉱構造または基板面に垂直な方向が〈001〉方位となる閃亜鉛鉱構造のGa<SB>x</SB> Al<SB>1-x</SB> N層(但し、0≦x≦1)またはInの組成比の低いGa<SB>y</SB> Al<SB>z</SB> In<SB>1-y-z</SB>N層(但し、0≦y,z≦1、0<y+z<1)からなる量子井戸層を発光層とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記量子井戸層は10nm以上の膜厚を有するとともに引っ張り歪が加えられており、かつ、光が基板面に平行方向に取り出されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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