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J-GLOBAL ID:200903057240669282

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995202970
Publication number (International publication number):1997051015
Application date: Aug. 09, 1995
Publication date: Feb. 18, 1997
Summary:
【要約】【目的】 半導体装置の薄型化、高密度化、高信頼性、高生産性。【構成】 片面にIC接続電極2と外部接続電極3を形成した回路基板6に、一方、ウエファーにバンプ電極7をバンピングし、所定のチップサイズにダイシングしたICチップ8をフリップチップボンディングする。前記ICチップ8の側面を封止樹脂9でポッティングした後、非電極形成面8aを所定の厚みまでラッピング研磨し、マトリックス状に形成された複数の外部接続電極3上にボール電極10を形成する。ICチップ8の実装部上面高さtをボール電極10の頂点高さhより低く形成する。【効果】 マザーボード基板の導通及び洗浄が容易、薄型化及びコスト低下。
Claim (excerpt):
一方の面にIC接続電極と外部接続電極を形成した回路基板の前記IC接続電極にICチップをフェースダウンボンディングすると共に、前記外部接続電極にボール電極を形成してなり、前記ICチップの実装部上面高さが前記ボール電極の頂点高さ以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (2):
H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭47-036857
  • チップキャリア
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-155679   Applicant:松下電工株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-165270   Applicant:株式会社メガチップス

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