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J-GLOBAL ID：200903057269679287

強誘電体材料およびこれを用いた強誘電体メモリ

Inventor： 三浦 薫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996176570
Publication number (International publication number)：1998022465
Application date： Jul. 05, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 疲労現象が起きにくい、特性の安定した寿命の長い強誘電体材料および強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物に、モリブデン、アンチモン、タンタル、およびタングステンのうち、一種類或いは複数種類の元素がドープした強誘電体材料を得、また、これを用いた強誘電体メモリを得る。

Claim (excerpt)：

鉛、チタンおよびジルコニウムの酸化物に、モリブデン、アンチモン、タンタル、およびタングステンのうち、一種類或いは複数種類の元素がドープされて成ることを特徴とする強誘電体材料。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/08 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6)：

H01L 27/10 451 ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/08 K ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-108759
  
• 強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-067275   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 強誘電体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-001444   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体薄膜および強誘電体半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-310426   Applicant：ローム株式会社