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J-GLOBAL ID：200903057272001402

マイクロ構造体及びマイクロ構造体の形成法

Inventor： 八木 隆行 ,  赤池 正剛
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994009004
Publication number (International publication number)：1995220994
Application date： Jan. 31, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【構成】 第1基板と、支持層からなる支持部と、該支持部により前記基板と空隙を介して支持され、第2基板を薄膜化してなるビームとからなるマイクロ構造体において、前記ビームを空隙を介して支持するに際して前記支持部が第1基板と前記ビームの上面を接続して支持することを特徴とするマイクロ構造体およびその形成方法。【効果】 本発明のマイクロ構造体の形成法によれば、第1基板と第2基板の接着を樹脂薄膜よりなる接着層にて行い、裏面から薄膜にした第2基板にて薄膜構造体を形成し、支持層により第1基板と薄膜構造体を機械的に接続し、接着層を除去することにより、絶縁体、金属、半導体等の様々の材料からなるマイクロ構造体を形成することができ、マイクロ構造体上に電極パターンを形成し、基板との電気的接続が可能なマイクロ構造体が形成できる。

Claim (excerpt)：

第1基板と、支持層からなる支持部と、該支持部により前記基板と空隙を介して支持され、第2基板を薄膜化してなるビームとからなるマイクロ構造体において、前記ビームを空隙を介して支持するに際して前記支持部が第1基板と前記ビームの上面を接続して支持することを特徴とするマイクロ構造体。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  H02N 1/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 微小可動機械とその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-014405   Applicant：日本電気株式会社
• 電界放出型素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-072531   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 真空管の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-189848   Applicant：日本鉱業株式会社