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J-GLOBAL ID:200903057302474130
研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (7):
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002190659
Publication number (International publication number):2004039673
Application date: Jun. 28, 2002
Publication date: Feb. 05, 2004
Summary:
【課題】供給付帯設備を設けることなくスラリの安定性および寿命を維持しつつ、エロージョンやスクラッチといった欠陥を極力低減し、しかも十分に大きな研磨速度で被処理基板の所望の層を研磨可能な研磨装置を提供する。【解決手段】被処理基板(16)が相対的に移動する研磨領域およびこの研磨領域より内周の非研磨領域を有するターンテーブル(11)と、被処理基板を保持し、前記研磨領域内で研磨面に対接させる基板ホルダー(14)と、第1の液体(20)を供給する第1の供給管(24)と、第2の液体(21)を供給する第2の供給管(25)と、前記非研磨領域内で、前記第1および第2の供給管の先端から離間して前記ターンテーブル上に配置され、前記第1および第2の液体を収容して混合し、混合スラリを前記研磨面上に供給するスラリ混合槽(17)とを具備することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
被処理基板が相対的に移動する研磨領域およびこの研磨領域より内周の非研磨領域を有するターンテーブルと、
被処理基板を保持し、前記研磨領域内で研磨面に対接させる基板ホルダーと、
第1の液体を供給する第1の供給管と、
第2の液体を供給する第2の供給管と、
前記非研磨領域内で、前記第1および第2の供給管の先端から離間して前記ターンテーブル上に配置され、前記第1および第2の液体を収容して混合し、混合スラリを前記研磨面上に供給するスラリ混合槽と
を具備することを特徴とする研磨装置。
IPC (1):
FI (2):
H01L21/304 622E
, H01L21/304 622X
Patent cited by the Patent:
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