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J-GLOBAL ID：200903057309753825

半導体装置及びその作製方法

Inventor：
河崎 律子

About 河崎 律子

, 
笠原 健司

About 笠原 健司

, 
大谷 久

About 大谷 久


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000246511
Publication number (International publication number)：2001127305
Application date： Aug. 15, 2000
Publication date： May. 11, 2001
Summary：
【要約】【課題】 結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、その結晶質半導体膜をTFTのチャネル形成領域に用いることにより高性能のTFTを実現する。【解決手段】 島状半導体層に温度分布をもたせ、温度変化の緩やかな領域を設け核生成速度と核生成密度を制御して結晶粒の大粒形化を図る。図1で示すように、島状半導体層1003と下地膜1002が重なる領域において下地膜1002に膜厚の厚い部分を形成する。この部分は体積が増え熱容量が大きくなり、島状半導体層のパルスレーザー光の照射による温度変化のサイクルは(他の膜厚の薄いい部分と比較して)緩やかなものとなる。このように、基板の表面側と裏面側からレーザー光を照射して半導体層を直接加熱して、半導体層から基板側への熱伝導制御と、半導体層の基板と水平方向への熱伝導を利用することにより結晶粒の大粒形化を実現している。
Claim (excerpt)：
透光性基板の一方の表面に第1の厚さの領域と、該第1の厚さよりも薄い第2の厚さの領域とを有する下地膜が形成され、前記第1の厚さの領域は前記第2の厚さの領域よりも小さい面積を有し、前記下地膜上の結晶構造を有する島状の半導体層は、前記第1の厚さの領域上と前記第2の厚さの領域上にわたって形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H04N 5/66 102
FI (7)：
G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  H04N 5/66 102 A ,  H01L 29/78 626 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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