Pat
J-GLOBAL ID：200903057386831790

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
勝又 章夫

About 勝又 章夫

, 
高橋 拓也

About 高橋 拓也


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997124112
Publication number (International publication number)：1998313074
Application date： May. 14, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】チップサイズパッケージ構造の半導体装置を実現する際、電極パッドからの配線引き出し長を極力短くし、ペレット中央付近の電極パッドからの配線引き出しを容易にし、外部電極数が多いペレットにも対応可能にする。【解決手段】半導体素子、配線、複数の電極パッド10a、最終保護膜を備えた半導体ペレット10と、ペレット上の全面を覆うように形成され、各電極パッドの上方に対応してビアホール部12aを有する封止層兼用の絶縁層12と、絶縁層の各ビアホール部内の底面部で電極パッドに電気的に接続されたビアホール配線部13aおよびそれに連なるとともにビアホール部からオフセットした位置にランド部13bを有するように形成された複数の配線パターン13と、各配線パターンのランド部上に設けられたボール状の外部電極14とを具備する。
Claim (excerpt)：
半導体素子、配線、複数の電極パッド、最終保護膜を備えた半導体ペレットと、前記半導体ペレット上の全面を覆うように形成され、前記各電極パッドの上方に対応してビアホール部を有する封止層兼用の絶縁層と、前記絶縁層の各ビアホール部内の底面部で前記電極パッドに電気的に接続されたビアホール配線部およびそれに連なるとともに前記ビアホール部からオフセットした位置にランド部を有するように形成された複数の配線パターンと、前記各配線パターンのランド部上に設けられたボール状の外部電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/321
FI (3)：
H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 602 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM