半導体結晶欠陥検査方法、半導体結晶欠陥検査装置、及びその半導体結晶欠陥検査装置を用いた半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：柿本恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004251719
Publication number (International publication number)：2006073572
Application date： Aug. 31, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】高空間分解能で測定位置の確認ができ、且つ高空間分解能で試料分析ができるカソードルミネッセンス(CL)を用いた半導体結晶欠陥検出方法等を提供する。【解決手段】表面側にシリコン層を有する基板2をステージ3に載置する工程と、基板2を温度100K〜4Kに冷却する工程と、ステージ3と基板表面を照射するための電子線とのいずれか一方を2次元的に走査して、基板表面の所定領域内を電子線により順次照射する工程と、基板表面から発生したCL光のうちの波長1200nm〜1700nmの近赤外光を検出すると共に、検出位置確認のために、基板表面から発生した2次電子を検出する工程と、検出された2次電子により基板表面の画像である2次電子像を表示すると共に、2次電子像に対応させて、検出された近赤外光の強度を表示し、基板表面で近赤外光の強度が大きい部位を特定する工程とを順に実行している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子の形成処理が行われるシリコン層を表面側に有する基板を、支持台に載置する工程と、前記基板のシリコン層を温度100K〜4Kに冷却する工程と、前記支持台と前記シリコン層の表面を照射するための電子線とのいずれか一方を2次元的に走査して、前記シリコン層の表面の所定領域内を前記電子線により順次照射する工程と、前記シリコン層から発生した波長1200nm〜1700nmの近赤外光を検出すると共に、前記シリコン層から発生した2次電子を検出する工程と、前記検出された2次電子により前記シリコン層の表面画像である2次電子像を表示すると共に、前記2次電子像に対応させて、前記検出された波長1200nm〜1700nmの近赤外光の強度を表示し、前記シリコン層の表面で前記波長1200nm〜1700nmの近赤外光の強度が大きい部位を特定する工程と、を有することを特徴とする半導体結晶欠陥検査方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 , G01N 21/62 , G01N 23/225

FI (3)：

H01L21/66 N , G01N21/62 A , G01N23/225

F-Term (37)：

2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001CA03 , 2G001GA06 , 2G001HA13 , 2G001JA14 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001PA07 , 2G001PA11 , 2G043AA03 , 2G043CA07 , 2G043DA01 , 2G043DA05 , 2G043DA08 , 2G043EA11 , 2G043FA01 , 2G043FA02 , 2G043HA03 , 2G043HA05 , 2G043JA02 , 2G043JA04 , 2G043JA05 , 2G043KA01 , 2G043KA05 , 2G043LA01 , 2G043LA02 , 2G043LA03 , 4M106AA01 , 4M106BA02 , 4M106CB19 , 4M106DA15 , 4M106DH13 , 4M106DH33 , 4M106DH45 , 4M106DH55 , 4M106DJ23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭56-35043号公報
特公平6-41915号公報

Cited by examiner (4)

固体表面観察装置と固体表面観察方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-198841 Applicant：キヤノン株式会社
シリコン単結晶ウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-015936 Applicant：信越半導体株式会社
半導体ウェーハの損傷評価用試料およびこの試料を用いた損傷評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-054858 Applicant：新日本製鐵株式会社

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