シリコン単結晶ウェーハの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅原正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002015936
Publication number (International publication number)：2003212692
Application date： Jan. 24, 2002
Publication date： Jul. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】高品質シリコン単結晶ウェーハの製造方法において、不良ロットのウェーハ全数にわたって生じていた無駄な加工による計り知れない損失を、一挙にゼロに近い比率にまで軽減する。【解決手段】シリコン単結晶塊からシリコン単結晶ウェーハを製造するのに先立って、該シリコン単結晶塊から単結晶片を切り出し、その単結晶片を鏡面研磨することにより品質評価測定試料を作製する。この鏡面研磨された品質評価測定試料を用いて品質測定を行い、それによるシリコン単結晶塊の品質評価結果に基づいて、該シリコン単結晶塊を、品質規格を充足したシリコン単結晶ウェーハの製造に使用できるか否かを判定する。そして、その判定結果において使用可能と判定されたシリコン単結晶塊のみ、シリコン単結晶ウェーハに加工する。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法にて製造されたシリコン単結晶塊を用いて、一定の品質規格を充足するシリコン単結晶ウェーハを製造するための方法であって、前記シリコン単結晶塊から前記シリコン単結晶ウェーハを製造するのに先立って、前記シリコン単結晶塊の品質評価を行なうために、該シリコン単結晶塊から単結晶片を切り出し、その単結晶片を鏡面研磨することにより品質評価測定試料を作製する品質評価測定試料作製工程と、この品質評価測定試料を用いて予め定められた品質測定を行い、該品質測定結果に基づいて前記シリコン単結晶塊の品質評価を行なう品質評価工程と、その品質評価結果に基づいて、前記シリコン単結晶塊を、前記品質規格を充足したシリコン単結晶ウェーハの製造に使用できるか否かを判定する判定工程と、その判定結果において使用可能と判定されたシリコン単結晶塊のみ、前記シリコン単結晶ウェーハに加工する加工工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 , G05B 19/418 , H01L 21/66

FI (3)：

C30B 29/06 502 Z , G05B 19/418 Z , H01L 21/66 N

F-Term (16)：

3C100AA38 , 3C100BB27 , 3C100EE06 , 4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077GA01 , 4G077GA02 , 4G077GA10 , 4G077HA12 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106CB19 , 4M106DB02 , 4M106DB07 , 4M106DJ38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

結晶生産方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-096703 Applicant：住友金属工業株式会社
シリコンウェハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-271349 Applicant：株式会社東芝
シリコン単結晶ウエ-ハおよびシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-063612 Applicant：信越半導体株式会社

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