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J-GLOBAL ID：200903057584570161

半導体製造装置

Inventor： 吉田 和由
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 桑井 清一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994018996
Publication number (International publication number)：1995211702
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 簡便な装置構成により、低圧領域において高密度プラズマを発生可能な半導体製造装置を提供する。【構成】 反応容器1内下部にウェーハ6が載置される下部電極7を設け、これにRF電源9を接続する。反応容器1の上部から側部にかけて渦巻状コイル3を卷回する。渦巻状コイル3にはRF電源5からRF電圧を印加する。RF電源を印加すると、反応容器1上部の渦巻状コイル3の部分により反応容器1内部にて磁場が生じ、反応ガスがプラズマ化する。反応容器1内壁面に向かって飛散した電子は、反応容器1の側部の渦巻状コイル3の部分による磁場により壁面から押し戻される。よって、高密度プラズマ中の電子は反応容器1内壁面において消滅せず、低圧領域にても高密度のプラズマを生成できる。

Claim (excerpt)：

反応気体で満たされるとともに、電気的に接地された反応容器と、反応容器内の下部に配設され、試料が載置された下部電極と、下部電極に高周波電圧を印加する第1のRF電源と、反応容器の外側であって、反応容器の上部から側部にかけて卷回された渦巻状コイルと、渦巻状コイルに高周波電流を流す第2のRF電源とを有することを特徴とした半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高密度プラズマCVD及びエッチングリアクタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-203633   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理装置の制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-284207   Applicant：東京エレクトロン株式会社