窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004187368
Publication number (International publication number)：2005005723
Application date： Jun. 25, 2004
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】結晶欠陥や反りやクラックが少なく大面積の窒化物半導体エピタキシャルが得られる窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】サファイア基板1の表面近傍に水素や窒素、酸素等のイオンを打ち込むことにより得られる中間層2は、アモルファス的な構造となるため、歪みを吸収、緩和し、クラックや反り等が低減する。中間層2は窒化物半導体層3の成長中に加熱されることによりボイドが生じる。ボイドは歪みの吸収、緩和効果が高く、クラックや反り等が低減し、結晶緩和を減少させる。基板表面が異種基板1のため、ボイドを有する中間層2の歪み吸収効果が大きくなり、高品質で大口径の窒化物半導体エピタキシャルウェハが得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

サファイア基板の表面近傍に該サファイア基板より機械的強度の弱い中間層を形成し、該中間層を形成したサファイア基板の上にデバイス用窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (9)：

H01L21/20 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/265 , H01L27/12 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (10)：

H01L21/20 , C30B25/18 , C30B29/38 D , H01L21/02 C , H01L21/205 , H01L27/12 S , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01L21/265 Y , H01L21/265 Q

F-Term (35)：

4G077AA02 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE08 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077TB05 , 4G077TC12 , 4G077TK01 , 4G077TK02 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA71 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045CA09 , 5F045EB15 , 5F045HA05 , 5F052JA07 , 5F052KA05 , 5F173AH22 , 5F173AH41 , 5F173AP04 , 5F173AQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-029434 Applicant：松下電器産業株式会社
結晶成長用基板及びそれを用いた発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-299183 Applicant：京セラ株式会社
半導体製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-361002 Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク

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