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J-GLOBAL ID：200903037556235917

半導体結晶の製造方法

Inventor：
柴田 真佐知

About 柴田 真佐知


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000240385
Publication number (International publication number)：2002050586
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 種々の基板の上に高品質なGaN系結晶を成長させることができる半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の表面を一旦多孔質状に加工した後、その多孔質層2の上に窒化物結晶3を成長させることにより、低温成長バッファ層が無くても高品質なGaN層を成長させることができる。
Claim (excerpt)：
III 族窒化物以外の基板の表面に多孔質層を形成し、その多孔質層の上にIII 族窒化物単結晶層を成長させることを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
F-Term (34)：
5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA01 ,  5F045HA02 ,  5F045HA03 ,  5F045HA11 ,  5F073CA01 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA28 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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