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J-GLOBAL ID：200903057701846394

金属酸化膜の形成方法及び成膜処理システム

Inventor：
神力 博

About 神力 博

, 
杉浦 正仁

About 杉浦 正仁


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998204502
Publication number (International publication number)：2000021874
Application date： Jul. 03, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 改質処理と結晶化処理を同一チャンバ内で連続的に行なうことができる金属酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 金属酸化膜の形成方法において、被処理体Wの表面に気化状態の金属酸化膜原料と酸化性ガスの存在下の雰囲気中にて非晶質状態の金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程と、前記金属酸化膜が形成された被処理体を活性酸素雰囲気下にて前記金属酸化膜の結晶化温度以下の状態に所定の時間維持して改質を行った後に結晶化温度以上に昇温することにより前記金属酸化膜中に含まれる有機不純物を脱離させつつ前記金属酸化膜を結晶化させる結晶化工程とを有するように構成する。これにより、改質処理と結晶化処理を同一チャンバ内で連続的に行なう。
Claim (excerpt)：
被処理体の表面に気化状態の金属酸化膜原料と酸化性ガスの存在下の雰囲気中にて非晶質状態の金属酸化膜を形成する金属酸化膜形成工程と、前記金属酸化膜が形成された被処理体を活性酸素雰囲気下にて前記金属酸化膜の結晶化温度以下の状態に所定の時間維持して改質を行った後に結晶化温度以上に昇温することにより前記金属酸化膜中に含まれる有機不純物を脱離させつつ前記金属酸化膜を結晶化させる結晶化工程とを有することを特徴とする金属酸化膜の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31
FI (4)：
H01L 21/316 P ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 B
F-Term (31)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045CA05 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EN04 ,  5F045HA16 ,  5F045HA25 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BH01 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH07 ,  5F058BH17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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