量子半導体装置および量子半導体発光装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998066899
Publication number (International publication number)：1999266004
Application date： Mar. 17, 1998
Publication date： Sep. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】量子ドットを含み、1.3μm帯で鋭いエネルギスペクトルを示す量子半導体装置を提供することにある。【解決手段】基板上に、基板に対して歪み系を形成するNを含むヘテロエピタキシャル構造を、中間層を挟みながら交互に繰り返し堆積し、垂直方向に整列した一連のInNAs系量子ドットを形成し、その際、量子ドット中のNの量を、量子ドットが1.3μm帯のエネルギスペクトルを有するように設定する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、量子構造を含む活性層とよりなる量子半導体装置において、前記量子構造は:第1の格子定数を有する第1の半導体結晶よりなり、互いに繰り返し積層された複数の中間層と;各々の中間層中に形成され、前記第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を有し、前記第1の半導体結晶に対して歪み系を形成する第2の半導体結晶よりなり、各々前記中間層の厚さに実質的に等しい高さを有する複数の量子ドットとを含み、前記複数の中間層の各々において、各々の量子ドットは、隣接する中間層中の対応する量子ドットと、前記半導体基板の主面に垂直な方向に、実質的に整列し、前記複数の中間層の各々はキャリアのBohr半径以下の厚さに厚さを設定されており、前記第2の半導体結晶はNを含むことを特徴とする量子半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/06 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 29/06 , H01L 33/00 A , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

量子半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-212811 Applicant：富士通株式会社
窒化物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290218 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-294711 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Article cited by the Patent：

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