薄膜形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：香山秀幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997254938
Publication number (International publication number)：1999092266
Application date： Sep. 19, 1997
Publication date： Apr. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】この発明は、結晶化温度の低減化と結晶性の向上が図れる薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】ゾルゲル法によって薄膜を形成する方法において、まず、LB法により、薄膜を構成すべき単結晶の結晶核を基板上に形成した後、結晶核層上にゾル液をコーティングして焼成することにより、基板上に薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

ゾルゲル法によって薄膜を形成する方法において、まず、LB法により、薄膜を構成すべき単結晶の結晶核を基板上に形成した後、結晶核層上にゾル液をコーティングして焼成することにより、基板上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (6)：

C30B 7/00 , H01B 3/00 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6)：

C30B 7/00 , H01B 3/00 F , H01B 3/00 D , H01B 3/00 H , H01L 27/10 451 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

LB膜を利用した配向性薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-243369 Applicant：東京瓦斯株式会社
特開平1-110144
強誘電体キャパシタと、強誘電体キャパシタ及び強誘電体膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-047863 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

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