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J-GLOBAL ID：200903057775211056

プラズマ化学気相成長装置

Inventor：
田桑 哲也

About 田桑 哲也


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997083695
Publication number (International publication number)：1998280154
Application date： Apr. 02, 1997
Publication date： Oct. 20, 1998
Summary：
【要約】【課題】 平行平板型プラズマ化学気相反応装置においてチタン系材料を形成する際に、膜均一性と膜質を改善する。【解決手段】 金属膜の面内均一性及びバリア性を解決するための手段として、プラズマ化学気相成長法が内部に半導体基板より外周部のサセプターをセラミックス系材料のサセプターカバーで覆うこと、もしくは、化学気相反応装置の内部に半導体基板より外周部のサセプターを覆ったセラミックス系材料からサセプターカバー一体型インナーベルジャーを有する。
Claim (excerpt)：
半導体基板を平行平板型電極の一方の電極を構成するサセプター上に載置して加熱し、前記平行平板型電極の他方の電極との間で発生させた原料ガスのプラズマにより前記半導体基板上に薄膜の成長を行うプラズマ化学気相成長装置において、前記サセプターの上面の前記半導体基板に覆われない表面と前記表面の上に位置する前記プラズマとの間にセラミックス系絶縁材料が設けられていることを特徴とするプラズマ化学気相成長装置。
IPC (6)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/06 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/205
FI (6)：
C23C 16/50 ,  C23C 16/06 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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