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J-GLOBAL ID：200903098236130032

金属含有膜の製造方法と装置

Inventor：
角 博文

About 角 博文


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994078887
Publication number (International publication number)：1995288232
Application date： Apr. 18, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウェーハなどの目的物の表面に対して、コンフォーマルな金属含有膜を成膜することができ、しかも汚染の原因となるパーティクルの発生を抑制し、且つ安定したプラズマ状態を実現することができる金属含有膜の製造方法と装置を提供すること。【構成】 化学気相成長装置のチャンバー24,24c内部に、金属含有膜が表面に成膜される予定のウェーハ28を設置する。次に、金属元素を含む原料ガスのプラズマ状態を、ICP、TCP、ヘリコン波、ECRなどで実現し、チャンバー内でプラズマ状態の原料ガスに含まれる金属元素を、ウェーハ28の表面に堆積させて、ウェーハ28の表面に金属含有膜を成膜する。金属含有膜の成膜と同時、または成膜中に間欠的に、または成膜後に、チャンバー24,24cの内側壁に付着する金属含有膜を除去する。
Claim (excerpt)：
化学気相成長装置のチャンバー内部に、金属含有膜が表面に成膜される予定の目的物を設置する工程と、金属元素を含む原料ガスのプラズマ状態を実現し、チャンバー内でプラズマ状態の原料ガスに含まれる金属元素を、上記目的物の表面に堆積させて、目的物の表面に金属含有膜を成膜する工程と、上記金属含有膜の成膜と同時、または成膜中に間欠的に、または成膜後に、チャンバーの内側壁に付着する金属含有膜を除去する工程とを有する金属含有膜の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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