半導体素子製造方法および処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999029841
Publication number (International publication number)：2000228400
Application date： Feb. 08, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】成膜の低温化を図るために導入する励起種の供給方法を工夫することにより、荷電粒子などの影響による損傷を抑制して素子の制御性や信頼性を高める。【解決手段】基板10上に酸化物薄膜を形成する工程において、酸化物薄膜の形成に必要な酸素の原料として酸素の中性活性種がヘリコン波プラズマから供給される。

Claim (excerpt)：

基板上に酸化物薄膜を形成する工程において、前記酸化物薄膜の形成に必要な酸素の原料として酸素の中性活性種をヘリコン波プラズマから供給することを特徴とする、半導体素子製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , C23C 16/50 , H01J 37/317 , H01L 21/31

FI (5)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , C23C 16/50 Z , H01J 37/317 Z , H01L 21/31 C

F-Term (31)：

4K030AA06 , 4K030BA44 , 4K030BB01 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030FA06 , 4K030KA12 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5C034CC07 , 5C034CC19 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045DP09 , 5F045EF18 , 5F045EH18 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマ処理方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-091813 Applicant：日電アネルバ株式会社
特開平1-204434
電子デバイス製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-143172 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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