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J-GLOBAL ID：200903057860794109

単接合型薄膜太陽電池及びその製造方法

Inventor： 山本 浩史 ,  和田 健司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394713
Publication number (International publication number)：2002314109
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 十分な光閉込効果を有しつつ、欠陥密度を低減させたシリコン層を有する高効率な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に、透明導電層及び光電変換層がこの順に1組積層されて構成されてなり、 前記透明導電層が光電変換層側の表面に複数の穴を有しており、該穴の表面に凹凸が形成されている単接合型薄膜太陽電池。

Claim (excerpt)：

基板上に、透明導電層及び光電変換層がこの順に1組積層されてなり、前記透明導電層が光電変換層側の表面に複数の穴を有しており、該穴の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする単接合型薄膜太陽電池。

FI (2)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M

F-Term (9)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CB15 ,  5F051CB21 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 太陽電池用基板、その製造方法及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-029730   Applicant：シャープ株式会社
• 太陽電池用基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-226809   Applicant：シャープ株式会社
• 多接合型薄膜太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-333713   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, シャープ株式会社, 松田彰久, 近藤道雄
• 太陽電池用基板および薄膜太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-333718   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, シャープ株式会社, 松田彰久, 近藤道雄