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J-GLOBAL ID：200903057959343672

転写基板とそれを用いた転写方法

Inventor： 鈴木 貞一 ,  田畑 和章 ,  山崎 芳文 ,  長尾 太介 ,  山田 高幸
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (2)： 平田 忠雄 ,  遠藤 和光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006298952
Publication number (International publication number)：2008114448
Application date： Nov. 02, 2006
Publication date： May. 22, 2008
Summary：

【課題】転写パターンとの間の剥離性に優れるとともに、ターゲット基板との間の転写率を大幅に向上させることを可能とした転写基板とそれを用いた転写方法を提供する。【解決手段】基板11上に基板11とは異なる熱膨張率をもつ転写パターン12を形成する。その後、加熱又は冷却を行うことで、基板11と転写パターン12との熱膨張率の相違により、基板11及び転写パターン12間にミクロ的な剥離を部分的に発生させる。基板及11及び転写パターン12間の密着力を低下させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に剥離可能に形成された転写パターンを有する転写基板であって、 前記基板と前記転写パターンとの熱膨張率が異なる材料により構成されてなることを特徴とする転写基板。

IPC (4)：

B32B 7/06 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  B32B 15/088

FI (4)：

B32B7/06 ,  H01L21/30 502D ,  G03F7/20 501 ,  B32B15/08 R

F-Term (14)：

2H097LA15 ,  2H097LA17 ,  4F100AA20A ,  4F100AB01B ,  4F100AB11A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA26 ,  4F100GB41 ,  4F100HB00B ,  4F100JA02A ,  4F100JA02B ,  4F100JL14B ,  5F046BA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 微小構造体、およびその製造方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-114071   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 3次元構造体の製造方法およびその製造用部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-356397   Applicant：富士ゼロックス株式会社