Pat
J-GLOBAL ID：200903057998339593
半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996011459
Publication number (International publication number)：1997205253
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：
【要約】【課題】 低光出力時における電流-光出力特性の非線形を改善し、低光出力時においても光出力の大きさの制御が可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 n型の半導体基板101上に、n型のバッファ層102、n型の第1光ガイド層103、活性層104、p型の第2光ガイド層105及びp型の光吸収層106が順次形成されている。光吸収層106の上における中央部にp型のストライプ領域107が形成されていると共に、光吸収層106の上におけるストライプ領域107の両側にはn型の電流ブロック層108が形成されている。ストライプ領域107及び電流ブロック層108の上にはp型の第3光ガイド層109が形成されている。光吸収層106の膜厚は5nm以上で且つ活性層104の膜厚の5分の1以下に設定されていると共に、第2光ガイド層105と光吸収層106との合計膜厚は0.3μm以下に設定されている。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に第1導電型の半導体層よりなる第1光ガイド層が形成され、該第1光ガイド層の上に半導体層よりなる活性層が形成され、該活性層の上に第2導電型の半導体層よりなる第2光ガイド層が形成され、該第2光ガイド層の上に第2導電型の半導体層よりなり前記活性層から発振するレーザ光を吸収する光吸収層が形成され、該光吸収層の上における中央部に第2導電型の半導体層よりなるストライプ領域が形成され、前記光吸収層の上における前記ストライプ領域の両側に第1導電型の半導体層よりなり前記活性層から発振するレーザ光を吸収する電流ブロック層が形成され、前記ストライプ領域及び電流ブロック層の上に第2導電型の第3光ガイド層が形成され、前記光吸収層の膜厚は5nm以上で且つ前記活性層の膜厚の5分の1以下に設定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
-
半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-050669
Applicant：富士電機株式会社
-
半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-135380
Applicant：シャープ株式会社
Return to Previous Page
