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J-GLOBAL ID：200903058024313674

半導体発光装置

Inventor：
河 本 聡

About 河 本 聡


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998145824
Publication number (International publication number)：1999340518
Application date： May. 27, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 耐熱性が高く、実装工程においても安定して半田付けを行うことができる窒化ガリウム系半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 リードフレームの材料として、従来用いられていた銅系の材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。このような材料としては、例えば、鉄系の材料を挙げることができる。このようにすることにより実装半田付けの際の封止体の加熱を抑制し、ワイアの断線などの不具合を防止することができる。さらに、本発明においては、第1の封止体と第2の封止体との界面の位置を調節することにより、ワイアの断線を顕著に低減することができる。
Claim (excerpt)：
リードフレームと、前記リードフレームの上に載置された窒化ガリウム系半導体発光素子と、前記発光素子を覆うように設けられた封止体と、を備え、前記リードフレームは、100W/(m・K)以下の熱伝導率を有する材料により構成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/48
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01L 23/48 Y
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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