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J-GLOBAL ID：200903058035265140

窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor：
山田 孝夫

About 山田 孝夫

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996124154
Publication number (International publication number)：1997307193
Application date： May. 20, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】 基板表面に形成されたストライプ状の溝部、若しくは基板と活性層との間に形成されたストライプ状の突起部の位置に対応して、活性層の導波路が形成されていることにより、レーザの横モードが活性層の側面にあるクラッド層で制御されるために、屈折率導波型のレーザ素子となり、閾値が下がる。
Claim (excerpt)：
基板表面に形成されたストライプ状の溝部の位置に対応して、活性層の導波路が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
  • 特開昭59-232481
  • 特開昭59-232481
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038159   Applicant：株式会社東芝
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