半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995042960
Publication number (International publication number)：1995307469
Application date： Mar. 02, 1995
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】直流、交流電流の両方を低オン電圧で制御できる半導体装置を提供することである。【構成】一方のコレクタを他方のエミッタに接続する逆並列接続された2個の絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)等の絶縁ゲート型半導体装置を設け、この絶縁ゲート型半導体装置のそれぞれのゲートを電位的に独立したゲート制御回路でバイアスした。

Claim (excerpt)：

第1,および第2の主電極、およびゲート電極を有する第1の絶縁ゲート型半導体装置と、該第1の絶縁ゲート型半導体装置の第2の主電極と接続された第1の主電極,該第1の絶縁ゲート型半導体装置の第1の主電極と接続された第2の主電極、およびゲート電極を有する第2の絶縁ゲート型半導体装置と、該第1の絶縁ゲート型半導体装置のゲート電極に接続された第1のゲート制御回路と、該第2の絶縁ゲート型半導体装置のゲート電極に接続された第2のゲート制御回路とを少なく共具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H03K 17/56 , H03K 17/68

FI (3)：

H01L 29/78 652 L , H01L 29/78 321 J , H03K 17/56 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平4-229715
複合形スイツチ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-172938 Applicant：富士電機株式会社
特開平4-063475

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