位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998181452
Publication number (International publication number)：1999237726
Application date： Jun. 12, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】露光波長の短波長化(100nm〜250nm)に対応しうるハーフトーン型位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクスを提供する。特に、検査光波長に対して所望の透過率を有する実用に適したマスクを提供する。【解決手段】ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、例えば、半透明膜(ハーフトーン位相シフター膜)2が、珪素とニッケルと、窒素、酸素及び水素から選ばれる少なくとも一種とを含み、さらに、半透明膜中に含まれる珪素とニッケルを下記式で示される関係とする。【数1】

Claim (excerpt)：

位相シフトマスクを作製するための位相シフトマスクブランクであって、透明性基板を直接透過する光に対して半透明膜を透過する光に所定量の位相差を生じさせる機能と光の強度を減衰させる機能とを有する半透明膜を透明性基板上に形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透明膜が、珪素とニッケルと、窒素、酸素及び水素から選ばれる少なくとも一種とを含み、さらに、半透明膜中に含まれる珪素とニッケルが下記式で示される関係にあることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。【数1】

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 515 F , H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

露光用マスクとその製造方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-195520 Applicant：株式会社東芝
露光用基板と露光用マスク及び露光用基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-273980 Applicant：株式会社東芝
露光用マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-165094 Applicant：株式会社東芝

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