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J-GLOBAL ID：200903058231920009
冷陰極装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999292382
Publication number (International publication number)：2001118488
Application date： Oct. 14, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 冷陰極装置における放出電子の広がりを抑制してエミッション電流の集束性の向上を図る。【解決手段】 絶縁層40上にゲート電極50を積層し、その絶縁層40の開口部41底面に電子放出層30を形成し、平面パターンで、絶縁層開口41周辺のゲート電極50と、電子放出層30の露出部とを離間帯によって離間し、この離間帯に、絶縁層40の一部からなり電子放出層30の表面を被覆する表面遮蔽層70を形成する。これにより、電子放出層表面32の離間帯から放出され該表面32の垂直方向に対して外側に向かって進行する電子の放出を抑制するとともに、電子放出層表面32の中央部から放出され該表面32に対して垂直方向に進行する電子を放出させることで、集束性の高いエミッション電流を得る。
Claim (excerpt)：
絶縁層上にゲート電極を設け、前記絶縁層の開口部底面に電子放出層を設けた冷陰極装置であって、平面パターンで、前記電子放出層の露出部と、前記開口部周囲のゲート電極とを離間させる離間帯を有し、かつ、前記電子放出層の側面が前記絶縁層と接したことを特徴とする冷陰極装置。
Patent cited by the Patent：
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