真空排気装置、半導体製造装置及び真空処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995126271
Publication number (International publication number)：1996321448
Application date： May. 25, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、高性能半導体素子を安定して且つ高い歩留まりで作製することが可能な真空排気装置、半導体製造装置及び真空処理方法を提供することを目的とする。【構成】ターボ分子ポンプ103と該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプ105とから構成され、ターボ分子ポンプ103と前記補助ポンプ105との間に所定のガスを導入するためのガス導入部114を設け、該導入部から所定のガスを導入しながら、真空室101の内部を排気する構成としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

真空室の内部を排気する排気装置であって、ターボ分子ポンプと該ターボ分子ポンプの排気側に接続された補助ポンプとから構成され、前記ターボ分子ポンプと前記補助ポンプとの間に所定のガスを導入するためのガス導入部を設け、該導入部から所定のガスを導入しながら、前記真空室の内部を排気する構成としたことを特徴とする真空排気装置。

IPC (2)：

H01L 21/02 , C23C 14/00

FI (2)：

H01L 21/02 Z , C23C 14/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

真空ポンプ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192822 Applicant：株式会社大阪真空機器製作所
特開平1-219367
特開昭62-169416

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