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J-GLOBAL ID：200903058415535183

半導体装置及びその製造方法、その半導体装置製造用基板及びその製造方法並びにその半導体成長用基板

Inventor： 川崎 健 ,  中田 健 ,  矢野 浩
Applicant, Patent owner： ユーディナデバイス株式会社
Agent (1)： 片山 修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005082308
Publication number (International publication number)：2006269534
Application date： Mar. 22, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】 電子供給層および電子走行層を[000-1]方向に堆積させるため、ソース電極およびドレイン電極と2DEGの接触抵抗が小さく、かつ2DEGの電子濃度の大きいHEMTを提供することができる。【解決手段】 基板(30)面に対する厚さ方向が[000-1]であるAlGaN電子供給層(32)と、電子供給層上に形成されたGaN電子走行層(34)と、該電子走行層上に形成されたゲート電極(40)と、ゲート電極を挟み、電子走行層上に形成されたソース電極(42)およびドレイン電極(44)と、を備えた半導体装置。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

基板面に対する厚さ方向が[000-1]であるAlGaN電子供給層と、 該電子供給層上に形成されたGaN電子走行層と、 該電子走行層上に形成されたゲート電極と、 該ゲート電極を挟み、前記電子走行層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (16)：

5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-190006   Applicant：信越半導体株式会社
• 高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-179544   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• 半導体ウェハー及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-072587   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-094755   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082778   Applicant：シャープ株式会社