半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005033351
Publication number (International publication number)：2006222220
Application date： Feb. 09, 2005
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：

【課題】本発明は、トランジスタの電気的特性や信頼性が劣化することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】過水素化シラザン重合体を、炭素を含む溶媒に分散することによって生成された過水素化シラザン重合体溶液を半導体基板10上に塗布することにより、塗布膜60を形成するステップと、塗布膜60に対して熱処理を行って、溶媒を揮発させることにより、ポリシラザン膜70を形成するステップと、半導体基板10を所定の炉内に挿入し、炉内の圧力を一旦低下させた上で、炉内に水蒸気を導入することによって、炉内の圧力を上昇させながら、ポリシラザン膜70に対して酸化処理を行うことにより、シリコン酸化膜80を形成するステップとを備えることを特徴とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

過水素化シラザン重合体を、炭素を含む溶媒に分散することによって生成された過水素化シラザン重合体溶液を半導体基板上に塗布することにより、塗布膜を形成するステップと、前記塗布膜に対して熱処理を行って、前記溶媒を揮発させることにより、ポリシラザン膜を形成するステップと、前記半導体基板を所定の炉内に挿入し、前記炉内の圧力を一旦低下させた上で、前記炉内に水蒸気を導入することによって、前記炉内の圧力を上昇させながら、前記ポリシラザン膜に対して酸化処理を行うことにより、シリコン酸化膜を形成するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10)：

H01L 21/76 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (6)：

H01L21/76 L , H01L27/08 331A , H01L27/08 102D , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/90 K

F-Term (63)：

5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032BA01 , 5F032CA17 , 5F032DA04 , 5F032DA10 , 5F032DA23 , 5F032DA33 , 5F032DA74 , 5F032DA78 , 5F033HH08 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033MM07 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033QQ76 , 5F033QQ85 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS21 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083NA01 , 5F083NA06 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR12 , 5F083PR23 , 5F083PR29 , 5F083PR40 , 5F101BA02 , 5F101BB05 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BE07 , 5F101BH01 , 5F101BH13 , 5F101BH19 , 5F101BH23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-163857 Applicant：株式会社東芝
半導体装置のシリコン酸化膜形成方法およびこれを用いた素子分離方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-005050 Applicant：三星電子株式会社

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