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J-GLOBAL ID：200903058480102944

磁気抵抗デバイス、及び、それを用いた磁気メモリ

Inventor：
福本 能之

About 福本 能之


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 工藤 実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005362793
Publication number (International publication number)：2006352062
Application date： Dec. 16, 2005
Publication date： Dec. 28, 2006
Summary：
【課題】反平行結合を有する積層フェリ自由層を用いた、スピンフロップ動作を利用したトグルMRAMにおいて、動作マージンを確保しながらフロップ磁場を低減する。【解決手段】飽和磁場の大きい積層フェリ結合膜と、反転磁場の小さいソフト磁性膜を、好適な大きさで強磁性結合させた積層構造体を磁化自由層に用いる。【選択図】図15A
Claim (excerpt)：
反転可能な磁化自由層と、 磁化が固着された磁化固定層 とを具備し、 前記磁化自由層は、 複数の強磁性層を含み、且つ、前記複数の強磁性層の隣接する2つの強磁性層が非磁性層を介して反平行結合されるように構成された第1の反平行結合積層フェリ構造体と、 強磁性を示す第1の反転誘導層 とを備え、 前記第1の反転誘導層は、前記第1の反平行結合積層フェリ構造体と強磁性結合され、且つ、反転磁場が前記第1の反平行結合積層フェリ構造体の反平行結合が外れ始める磁場よりも小さくなるように構成された 磁気抵抗素子。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/32
FI (3)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/32
F-Term (6)：
5E049AC05 ,  5E049AC10 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)

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