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J-GLOBAL ID：200903052131660605

磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor：
福住 嘉晃

About 福住 嘉晃

, 
甲斐 正

About 甲斐 正


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004214755
Publication number (International publication number)：2006040960
Application date： Jul. 22, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：
【課題】 誤書き込みを抑制しつつ、書き込み電流の低減を図る。【解決手段】 磁気ランダムアクセスメモリは、記録層30と固定層10と記録層及び固定層間に設けられた中間非磁性層20とを有する磁気抵抗素子1を備えた磁気ランダムアクセスメモリである。記録層は、中間非磁性層上に形成された第1の強磁性層31と、第1の強磁性層上に形成された第1の非磁性層32と、第1の非磁性層上に形成され、第1の非磁性層を介して第1の強磁性層と第1の磁気結合により磁気的に結合する第2の強磁性層33と、第2の強磁性層上に形成された第2の非磁性層34と、第2の非磁性層上に形成され、第2の非磁性層を介して第2の強磁性層と第2の磁気結合により磁気的に結合する第3の強磁性層35とを具備する。第1の磁気結合が反強磁性結合であり、かつ第2の磁気結合が強磁性結合である場合、又は、第1の磁気結合が強磁性結合であり、かつ第2の磁気結合が反強磁性結合である場合のどちらかである。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
記録層と固定層と前記記録層及び前記固定層間に設けられた中間非磁性層とを有する磁気抵抗素子を備えた磁気ランダムアクセスメモリであって、 前記記録層は、 前記中間非磁性層上に形成された第1の強磁性層と、 前記第1の強磁性層上に形成された第1の非磁性層と、 前記第1の非磁性層上に形成され、前記第1の非磁性層を介して前記第1の強磁性層と第1の磁気結合により磁気的に結合する第2の強磁性層と、 前記第2の強磁性層上に形成された第2の非磁性層と、 前記第2の非磁性層上に形成され、前記第2の非磁性層を介して前記第2の強磁性層と第2の磁気結合により磁気的に結合する第3の強磁性層と を具備し、 前記第1の磁気結合が反強磁性結合であり、かつ前記第2の磁気結合が強磁性結合である場合、又は、前記第1の磁気結合が強磁性結合であり、かつ前記第2の磁気結合が反強磁性結合である場合のどちらかである ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (3)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 Z
F-Term (10)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA15 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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