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J-GLOBAL ID：200903078706949067

磁気記憶素子及び磁気メモリ

Inventor：
大森 広之

About 大森 広之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003317123
Publication number (International publication number)：2005086015
Application date： Sep. 09, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：
【課題】 情報を安定して保持することができると共に、小さい磁場で情報の記録を行うことができる磁気記憶素子及び磁気メモリを提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態によって保持する記憶層1が4層以上の偶数の磁性層11,12,13,14及びその間の非磁性層15から成り、各磁性層11,12,13,14の磁化M1,M2,M3,M4の大きさが記憶層1の上下にほぼ対称であり、非磁性層15を介して隣接する磁性層の磁化M1及びM2,M2及びM3,M3及びM4の向きが互いに反平行である磁気記憶素子10を構成する。また、この磁気記憶素子10と、それぞれ交差する第1の配線と第2の配線とを有し、第1の配線及び第2の配線とが交差する交点付近に、それぞれ磁気記憶素子10が配置されて成る磁気メモリを構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
情報を磁性体の磁化状態によって保持する記憶層が、4層以上の偶数の磁性層及びその間の非磁性層から成り、 各前記磁性層の磁化の大きさが、前記記憶層の上下にほぼ対称であり、 前記非磁性層を介して隣接する前記磁性層の磁化の向きが互いに反平行である ことを特徴とする磁気記憶素子。
IPC (3)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (4)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 P ,  H01L43/08 Z
F-Term (3)：
5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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