拡張されたプレートラインを有する強誘電体メモリ素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002186422
Publication number (International publication number)：2003051584
Application date： Jun. 26, 2002
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】強誘電体メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】この強誘電体メモリ素子は一つの拡張されたプレートラインがセルアレイ領域内で隣り合う少なくとも二つの行上に配列された強誘電体キャパシタと直接的に接続される。一方、隣り合う少なくとも二つの行上に配列された強誘電体キャパシタは、一つの共通上部電極を共有することもできる。この場合、前記共通上部電極は前記拡張されたプレートラインと直接的に接触する。ここで、前記プレートラインは局部プレートライン及び主プレートラインで構成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された下部層間絶縁膜と、前記下部層間絶縁膜上に行方向及び列方向に沿って2次元的に配列された複数の強誘電体キャパシタと、前記複数の強誘電体キャパシタを有する半導体基板の全面に積層された上部層間絶縁膜と、前記上部層間絶縁膜内に前記行方向と平行に配置された複数のプレートラインとを含み、前記プレートラインの各々は隣り合う少なくとも二つの行上に配列された強誘電体キャパシタの上部面と直接的に接触することを特徴とする強誘電体メモリ素子。

F-Term (24)：

5F083AD21 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083KA03 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA19 , 5F083LA21 , 5F083MA01 , 5F083MA06 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083PR39 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

強誘電体メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-260665 Applicant：松下電子工業株式会社
強誘電体メモリ装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-146675 Applicant：三星電子株式会社
強誘電体を用いた半導体記憶素子の構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-296770 Applicant：沖電気工業株式会社

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