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J-GLOBAL ID:200903058556898077
膜電極接合体、及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002156740
Publication number (International publication number):2003346815
Application date: May. 30, 2002
Publication date: Dec. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高湿度条件下又は高温条件下で長期間使用した場合であっても、触媒層の内部構造が安定して保たれ、高温低湿度条件下で使用した場合であっても、高い出力が得られる膜電極接合体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る膜電極接合体は、固体高分子電解質膜と、該固体高分子電解質膜の両面に接合された電極とを備え、該電極の少なくとも一方は、ビススルホニルイミド基、スルホニルカルボニルイミド基、及びビスカルボニルイミド基から選ばれる少なくとも1つの架橋基を介して架橋された固体高分子化合物からなる触媒層内電解質を含む触媒層を備えている。このような膜電極接合体は、官能基Aを有する固体高分子化合物を含む触媒層と、官能基Bを備えた架橋剤又は固体高分子化合物に官能基Bを導入可能な架橋剤とを、反応させることにより得られる。
Claim (excerpt):
固体高分子電解質膜と、該固体高分子電解質膜の両面に接合された電極とを備え、該電極の少なくとも一方は、ビススルホニルイミド基、スルホニルカルボニルイミド基、及びビスカルボニルイミド基から選ばれる少なくとも1つの架橋基を介して架橋された固体高分子化合物からなる触媒層内電解質を含む触媒層を備えている膜電極接合体。
IPC (4):
H01M 4/86
, C25B 9/10
, H01M 8/02
, H01M 8/10
FI (4):
H01M 4/86 B
, H01M 8/02 E
, H01M 8/10
, C25B 11/20
F-Term (22):
4K011AA23
, 4K011AA30
, 4K011BA02
, 4K011BA04
, 4K011BA07
, 4K011DA03
, 4K011DA05
, 4K011DA11
, 5H018AA06
, 5H018BB12
, 5H018BB16
, 5H018EE03
, 5H018EE05
, 5H018EE17
, 5H018HH00
, 5H026AA06
, 5H026BB00
, 5H026BB08
, 5H026BB10
, 5H026CX05
, 5H026EE18
, 5H026HH00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開昭62-051165
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高耐熱性高分子電解質
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-363934
Applicant:株式会社豊田中央研究所
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複合化架橋電解質
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-186639
Applicant:株式会社豊田中央研究所
-
架橋したスルホン化ポリマーおよびその製造法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平11-538749
Applicant:ハイドロ-ケベック
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特開昭62-051165
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